Descripción del Producto
Esta serie de objetivos de rutenio se fabrica a partir de materias primas de rutenio de alta-pureza, logrando una microestructura uniforme y de alta densidad mediante procesos de fusión por arco y refinamiento de grano. Los productos están disponibles en varias configuraciones, incluidos objetivos planos y objetivos giratorios, y admiten servicios de placa posterior de unión de indio-unión de cuerpo elástico-, lo que los hace adecuados para aplicaciones de pulverización catódica de CC.
Característica
- Alta pureza, grado convencional, disponible en especificaciones de pureza ultra-alta.
- Alta dureza, excelente resistencia al desgaste y resistencia superior a la oxidación y la corrosión.
- Punto de fusión excesivamente alto con excelente estabilidad a altas-temperaturas.
- La película presenta una deposición uniforme y una alta densidad, lo que la hace adecuada para procesos avanzados de fabricación de semiconductores.
Especificaciones y modelos
Para dimensiones, espesores, pureza o especificaciones técnicas personalizadas, no dude en contactarnos. Podemos proporcionar soluciones de materiales personalizadas según su equipo de pulverización catódica, requisitos de recubrimiento y especificaciones dimensionales.
| Dimensión de clasificación | Tipo de producto | Características principales |
| Grado de pureza | Diferentes grados de pureza | Propósito general-para semiconductores, pantallas y dispositivos de memoria. |
| Formato del producto | Objetivo de rutenio plano circular | Especificaciones estándar, compatibles con la mayoría de los equipos de pulverización catódica. |
| Diana de rutenio en forma rectangular/de bloque- | Adecuado para aplicaciones de revestimiento-de áreas grandes. | |
| Diana giratoria de rutenio | Adecuado para áreas-grandes y deposición de alta-eficiencia. |
Solicitud
- Semiconductores: electrodos condensadores DRAM/MIM, capas de barrera de difusión interconectadas.
- Almacenamiento avanzado: almacenamiento magnético, memoria de cambio-de fase, memoria resistiva.
- Circuito integrado: capa semilla de interconexión de cobre, capa barrera y dispositivo lógico.
- Dispositivos de visualización: pantallas-planas, electrodos de película delgada-OLED.
- Optoelectrónica y fotovoltaica: revestimientos ópticos, capas funcionales de células fotovoltaicas.
- Electrónica de precisión: contactos eléctricos-resistentes al desgaste, resistencias de película-gruesas y sensores.
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